鍍金云母交錯指狀電極陣列

簡要描述：鍍金云母交錯指狀電極陣列采用電子束蒸發(fā)技術(shù)將金薄膜沉積在玻璃基底上，并通過光刻和濕法蝕刻進(jìn)行微加工。在金膜和玻璃基底之間涂覆了一層鈦粘附層，以提高機械穩(wěn)定性。該電極陣列適用于化學(xué)傳感器、生物傳感器、芯片實驗室、微流體、場效應(yīng)晶體管、二維材料等發(fā)現(xiàn)導(dǎo)向研究。

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更新時間：2025-03-12
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鍍金云母交錯指狀電極陣列（6組）

采用電子束蒸發(fā)技術(shù)將金薄膜沉積在玻璃基底上，并通過光刻和濕法蝕刻進(jìn)行微加工。在金膜和玻璃基底之間涂覆了一層鈦粘附層，以提高機械穩(wěn)定性。該電極陣列適用于化學(xué)傳感器、生物傳感器、芯片實驗室、微流體、場效應(yīng)晶體管、二維材料等發(fā)現(xiàn)導(dǎo)向研究。

鍍金云母交錯指狀電極陣列

特點與優(yōu)勢：

· 表面粗糙度低：提供出色的樣品間重復(fù)性。

· 高純度金（99.999%）：無需進(jìn)行危險/有害的表面清潔步驟。

· 透明玻璃基底：便于輕松觀察和操作樣品。

鍍金云母交錯指狀電極陣列產(chǎn)品規(guī)格

· 電極設(shè)計：交錯指狀電極陣列可用于多種樣品檢測，包括涉及電阻和電容測量的液體分析。溶液的電阻和電容可在電極特征之間測量。電極指寬為10微米，指間距為10微米；每個芯片包含12對交錯指狀電極。

· 基底：硼鋁硅酸鹽

· 金屬層：100納米金（99.999%純度）

· 粘附層：5納米鈦

· 芯片尺寸：1厘米×1厘米×0.07厘米

· 每包芯片數(shù)量：6個

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